文献
J-GLOBAL ID:200902168079173657
整理番号:95A0629979
イオンビーム合成半導性FeSi2のTEM研究
TEM investigation of ion beam synthesized semiconducting FeSi2.
著者 (5件):
YANG Z
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
HOMEWOOD K P
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
REESON K J
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
FINNEY M S
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
HARRY M A
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
資料名:
Materials Letters
(Materials Letters)
巻:
23
号:
4/6
ページ:
215-220
発行年:
1995年05月
JST資料番号:
E0935A
ISSN:
0167-577X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)