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著者 (4件)：
資料名：
巻： 6 号： 3/4 ページ： 435-448 発行年： 1999年06月
JST資料番号： W1109A ISSN： 0218-625X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： シンガポール (SGP) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902168351602929
整理番号：00A0132698
触媒および非触媒自己制限表面反応を使用したSiO2の原子層堆積
Atomic layer deposition of SiO2 using catalyzed and uncatalyzed self-limiting surface reactions.
KLAUS J W
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
SNEH O
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
OTT A W
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
GEORGE S M
(Univ. Colorado, CO, USA)
資料名：
Surface Review and Letters
(Surface Review and Letters)
巻： 6 号： 3/4 ページ： 435-448 発行年： 1999年06月
JST資料番号： W1109A ISSN： 0218-625X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： シンガポール (SGP) 言語： 英語 (EN)
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