文献
J-GLOBAL ID:200902168478432119
整理番号:99A0326918
350GHz遮断周波数を持った30nmゲートのInP系格子整合高電子移動度トランジスタ
30-nm-Gate InP-Based Lattice-Matched High Electron Mobility Transistors with 350 GHz Cutoff Frequency.
著者 (6件):
SUEMITSU T
(NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ISHII T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA H
(NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ENOKI T
(NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ISHII Y
(NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAMAMURA T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
38
号:
2B
ページ:
L154-L156
発行年:
1999年02月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)