文献
J-GLOBAL ID:200902169197599720
整理番号:98A0005068
GaInNAs 長波長半導体レーザのための新しい材料
GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength Semiconductor Lasers.
著者 (8件):
KONDOW M
(RWCP Optoelectronics Hitachi Lab., Tokyo, JPN)
,
KITATANI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKATSUKA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
LARSON M C
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAHARA K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAZAWA Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OKAI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻:
3
号:
3
ページ:
719-730
発行年:
1997年06月
JST資料番号:
W0734A
ISSN:
1077-260X
CODEN:
IJSQEN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)