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文献
J-GLOBAL ID:200902169197599720   整理番号:98A0005068

GaInNAs 長波長半導体レーザのための新しい材料

GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength Semiconductor Lasers.
著者 (8件):
KONDOW M
(RWCP Optoelectronics Hitachi Lab., Tokyo, JPN)
KITATANI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
NAKATSUKA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
LARSON M C
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
NAKAHARA K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
YAZAWA Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
OKAI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
UOMI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)

資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)

巻:号:ページ: 719-730  発行年: 1997年06月 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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