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著者 (4件)：
資料名：
巻： 72 号： 6 ページ： 704-706 発行年： 1998年02月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902169912926482
整理番号：98A0278435
有機金属気相エピタクシーによって成長させた高品質GaNのための新しいバッファ層
A new buffer layer for high quality GaN growth by metalorganic vapor phase epitaxy.
KACHI T
(Toyota Central Res. & Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
TOMITA K
(Toyota Central Res. & Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
ITOH K
(Toyota Central Res. & Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
,
TADANO H
(Toyota Central Res. & Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 6 ページ： 704-706 発行年： 1998年02月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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