Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (9件)：
資料名：
巻： 41 号： 7A ページ： 4450-4453 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902170495329890
整理番号：02A0642852
SiNバッファ層がある高性能の348nmAlGaN/GaN基紫外発光ダイオード
High-Performance 348 nm AlGaN/GaN-Based Ultraviolet-Light-Emitting Diode with a SiN Buffer Layer.
LEE Y-B
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
WANG T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LIU Y-H
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
AO J-P
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
IZUMI Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LACROIX Y
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
LI H-D
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
BAI J
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
SAKAI S
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 7A ページ： 4450-4453 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。