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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2002 ページ： 367-370 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902170564341961
整理番号：03A0088397
ポリシリコンゲートの単一全シリサイド化(FUSI)による仕事関数金属デュアルゲートをもつトランジスタ
Transistors with Dual Work Function Metal Gates by Single Full Silicidation (FUSI) of Polysilicon Gates.
MASZARA W P
(AMD, CA, USA)
,
KRIVOKAPIC Z
(AMD, CA, USA)
,
KING P
(AMD, CA, USA)
,
GOO J-S
(AMD, CA, USA)
,
LIN M-R
(AMD, CA, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 367-370 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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