文献
J-GLOBAL ID:200902170616264227
整理番号:99A0497757
GaAs(311)A基板上に成長させたGaP/InP短周期超格子における量子ドット構造自己形成過程の成長温度依存性
Growth Temperature Dependence of Self-Formation Process of Quantum Dot Structures in GaP/InP Short-Period Superlattices Grown on GaAs (311)A Substrate.
著者 (6件):
NOH J-H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
FUDETA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE D
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI J
(Kwansei-Gakuin Univ., Nishinomiya, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
4B
ページ:
2521-2523
発行年:
1999年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)