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資料名：
巻： 39 号： 10 ページ： 5962-5965 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902170755595106
整理番号：01A0052307
有機金属化学蒸着によるInP(100)基板上のGa0.46In0.54NyAs1-y単一量子井戸の成長
Growth of Ga0.46In0.54NyAs1-y Single Quantum Wells on InP(100) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
UBUKATA A
(Nippon Sanso Co., Ibaraki, JPN)
,
DONG J
(Nippon Sanso Co., Ibaraki, JPN)
,
MATSUMOTO K
(Nippon Sanso Co., Ibaraki, JPN)
,
ISHIHARA Y
(Nippon Sanso Co., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 10 ページ： 5962-5965 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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