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資料名：
巻： 41 号： 4A ページ： 1952-1962 発行年： 2002年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902171206438968
整理番号：02A0442191
低抵抗率のn型ダイヤモンド半導体のドナー-水素複合体のab initio研究
Ab Initio Study of Donor-Hydrogen Complexes for Low-Resistivity n-Type Diamond Semiconductor.
NISHIMATSU T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KATAYAMA(YOSHIDA) H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ORITA N
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 4A ページ： 1952-1962 発行年： 2002年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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