文献
J-GLOBAL ID:200902171252174584
整理番号:99A0420062
シリコンの限界線を破る新世代高電圧MOSFET
A new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit line of silicon.
著者 (6件):
DEBOY G
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
MAERZ M
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
STENGL J-P
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
STRACK H
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
TIHANYI J
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
WEBER H
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1998
ページ:
683-685
発行年:
1998年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)