文献
J-GLOBAL ID:200902171771777652
整理番号:97A0160952
レーザアブレーションで作ったエルビウムをドープしたシリコン薄膜の室温における発光
Room-temperature luminescence from erbium-doped silicon thin films prepared by laser ablation.
著者 (6件):
KOMURO S
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
MARUYAMA S
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
MORIKAWA T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
ZHAO X
(Inst. Physical and Chemical Res., Saitama, JPN)
,
ISSHIKI H
(Inst. Physical and Chemical Res., Saitama, JPN)
,
AOYAGI Y
(Inst. Physical and Chemical Res., Saitama, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
69
号:
25
ページ:
3896-3898
発行年:
1996年12月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)