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資料名：
巻： 91 号： 8 ページ： 5246-5249 発行年： 2002年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902171810189402
整理番号：02A0393543
高密度磁気ランダムアクセスメモリ用の垂直磁化薄膜を用いた磁気トンネル接合素子
Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization films for high-density magnetic random access memory.
NISHIMURA N
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
HIRAI T
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
KOGANEI A
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
IKEDA T
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
OKANO K
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
SEKIGUCHI Y
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
,
OSADA Y
(Canon, Inc., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 8 ページ： 5246-5249 発行年： 2002年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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