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資料名：
巻： 83 号： 9 ページ： 4862-4868 発行年： 1998年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902171955914091
整理番号：98A0510708
NiOピンニングを持つスピンバルブ膜を用いた微分型巨大磁気抵抗メモリ
Differential type giant magnetoresistive memory using spin-valve film with a NiO pinning layer.
YAMANE H
(Oki Electric Ind. Corp. Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI M
(Chiba Inst. Technol., Chiba, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 83 号： 9 ページ： 4862-4868 発行年： 1998年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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