文献
J-GLOBAL ID:200902172298197720
整理番号:94A0028123
四塩化けい素プラズマ中での窒化ガリウムの反応性イオンエッチング
Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmas.
著者 (6件):
ADESIDA I
(Univ. Illinois, Illinois)
,
MAHAJAN A
(Univ. Illinois, Illinois)
,
ANDIDEH E
(Univ. Illinois, Illinois)
,
KHAN M A
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
OLSEN D T
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
KUZNIA J N
(APA Optics, Inc., Minnesota)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
20
ページ:
2777-2779
発行年:
1993年11月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)