文献
J-GLOBAL ID:200902172628517867
整理番号:01A0849956
Si(100)上のオゾンによる初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察による研究
Initial oxidation process by ozone on Si(100) investigated by scanning tunneling microscopy.
著者 (4件):
ITOH H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
NAKAMURA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KUROKAWA A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
482/485
号:
Pt.1
ページ:
114-120
発行年:
2001年06月20日
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)