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著者 (3件)：
資料名：
巻： 41 号： 11A ページ： 6305-6309 発行年： 2002年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902173148816402
整理番号：03A0011609
無転位シリコンにおける置換型ニッケル原子分布の深準位過渡分光法と,拡散の解離機構に基づく理論解析による研究
Distribution of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Theoretical Analyses Based on the Dissociative Mechanism of Diffusion.
TANAKA S
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
IKARI T
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
KITAGAWA H
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 11A ページ： 6305-6309 発行年： 2002年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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