文献
J-GLOBAL ID:200902173250404836
整理番号:01A0588833
スパッタリング型電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いて作製した低温エピタキシャルドープしたSi薄膜の電気的特性
Electrical properties of low-temperature epitaxial doped Si thin films fabricated by using a sputtering-type electron cyclotron resonance plasma.
著者 (4件):
WANG J
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
GAO J
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MURAOKA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
34
号:
7
ページ:
1025-1031
発行年:
2001年04月07日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)