文献
J-GLOBAL ID:200902173316601611
整理番号:99A0535092
種々の水素希釈下のECRダウンストリームプラズマCVDによる多結晶シリコン薄膜の低温ファセット化成長
Study on low temperature facetting growth of polycrystalline silicon thin films by ECR downstream plasma CVD with different hydrogen dilution.
著者 (5件):
HSIAO H L
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HWANG H L
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG A B
(Tunghai Univ., Taichung, TWN)
,
CHEN L W
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
YEW T R
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
142
号:
1/4
ページ:
316-321
発行年:
1999年04月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)