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著者 (6件)：
資料名：
巻： 39 号： 10B ページ： L1035-L1038 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902173572805577
整理番号：01A0059378
Ir-Mn系における交換相互作用バイアス効果を有する単一および二重トンネル接合の磁気抵抗比に関する障壁幅,障壁の高さおよびDCバイアス電圧依存性の間の相関
Correlation between Barrier Width, Barrier Height, and DC Bias Voltage Dependences on the Magnetoresistance Ratio in Ir-Mn Exchange Biased Single and Double Tunnel Junctions.
SAITO Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
AMANO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKAHASHI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SAGOI M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
INOMATA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 10B ページ： L1035-L1038 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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