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著者 (8件)：
資料名：
巻： 40 号： 5B ページ： L505-L507 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902173899689139
整理番号：01A0694080
高内部利得をもつ背面照射型のGaNの金属-半導体-金属のUV光検出器
Back-Illuminated GaN Metal-Semiconductor-Metal UV Photodetector with High Internal Gain.
JIANG H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
NAKATA N
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ZHAO G Y
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SHAO C L
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 5B ページ： L505-L507 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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