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著者 (9件)：
資料名：
巻： 85 号： 8, Pt.2B ページ： 5828-5833 発行年： 1999年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902174105339070
整理番号：99A0567330
交換相互作用でバイアスした磁気トンネル接合とその不揮発性磁気ランダムアクセスメモリへの応用(招待)
Exchange-biased magnetic tunnel junctions and application to nonvolatile magnetic randon access memory(invited).
PARKIN S S P
(IBM Res. Div., California)
,
ROCHE K P
(IBM Res. Div., California)
,
SAMANT M G
(IBM Res. Div., California)
,
RICE P M
(IBM Res. Div., California)
,
BEYERS R B
(IBM Res. Div., California)
,
SCHEUERLEIN R E
(IBM Storage Div., California)
,
O’SULLIVAN E J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
BROWN S L
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
GALLAGHER W J
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 85 号： 8, Pt.2B ページ： 5828-5833 発行年： 1999年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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