文献
J-GLOBAL ID:200902174138442195
整理番号:97A0858444
配向性の異なる基板への高品質4H-SiCの成長
High quality 4H-SiC grown on various substrate orientations.
著者 (8件):
HENRY A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
IVANOV I G
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
EGILSSON T
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
ELLISON A
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
KORDINA O
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
LINDEFELT U
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
6
号:
10
ページ:
1289-1292
発行年:
1997年08月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)