文献
J-GLOBAL ID:200902174185326837
整理番号:00A0479568
4Gb/16Gb用垂直接続トランジスタと埋込みストラップ(VERI BEST)を有する新しいトレンチDRAMセル
A Novel Trench DRAM Cell with a VERtIcal Access Transistor and BuriEd STrap(VERI BEST) for 4Gb/16Gb.
著者 (9件):
GRUENING U
(Infineon Technol., Corp., NY, USA)
,
MANDELMAN J A
(IBM Semiconductor R&D Center, NY, USA)
,
KNORR A
(Infineon Technol., Corp., NY, USA)
,
DIVAKARUNI R
(IBM Semiconductor R&D Center, NY, USA)
,
WELSER J J
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
FURUKAWA T
(IBM Microelectronics, VT)
,
KANARSKY T S
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
ALSMEIER J
(Infineon Technol., Corp., NY, USA)
,
BRONNER G B
(IBM Semiconductor R&D Center, NY, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1999
ページ:
25-28
発行年:
1999年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)