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資料名：
巻： 69 号： 16 ページ： 2441 発行年： 1996年10月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902174811193020
整理番号：96A0932390
“重水素プロセスによる金属-酸化物-半導体トランジスタのホットエレクトロン劣化の低下”に対するコメント
Comment on “Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing” [Appl. Phys. Lett. 68, 2526 (1996)].
VAN DE WALLE C G
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
JACKSON W B
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 16 ページ： 2441 発行年： 1996年10月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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