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著者 (7件)：
資料名：
巻： 1998 ページ： 363-366 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902174902677216
整理番号：99A0419989
0.25μm CMOS論理埋め込みFeRAMのためのCMVP(Capacitor-on-Metal/Via-stacked-Plug)メモリセル
Capacitor-on Metal/Via-stacked-Plug(CMVP) Memory Cell for 0.25μm CMOS Embedded FeRAM.
AMANUMA K
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
MAEJIMA Y
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
TAKAHASHI S
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
HADA H
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
OKIZAKI H
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
KUNIO T
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 363-366 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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