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著者 (1件)：
資料名：
巻： 308/310 ページ： 506-509 発行年： 2001年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902175019565030
整理番号：02A0186778
Mechanisms of capture- and recombination-enhanced defect reactions in semiconductors.
SHINOZUKA Y
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 308/310 ページ： 506-509 発行年： 2001年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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