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著者 (6件)：
資料名：
巻： 159/160 ページ： 277-281 発行年： 2000年06月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902175096250793
整理番号：00A0812155
集束イオンビームと分子ビームエピタクシーの組合せ系により作製したGaAsにおける成長中断層でのキャリアプロフィルと電子トラップ
Carrier profiles and electron traps at a growth-interrupted layer in GaAs fabricated by a focused ion beam and molecular beam epitaxy combined system.
GOTO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HADA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YANAGISAWA J
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WAKAYA F
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YUBA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GAMO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 159/160 ページ： 277-281 発行年： 2000年06月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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