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資料名：
巻： 92 号： 4 ページ： 2213-2215 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902175448996669
整理番号：02A0693597
ゾル-ゲル法で堆積したバナジウムドープBi4Ti3O12薄膜の強誘電特性
Ferroelectric properties of vanadium-doped Bi4Ti3O12 thin films deposited by a sol-gel method.
KIM S S
(Changwon National Univ., Kyongnam, KOR)
,
SONG T K
(Changwon National Univ., Kyongnam, KOR)
,
KIM J K
(Changwon National Univ., Kyongnam, KOR)
,
KIM J
(Changwon National Univ., Kyongnam, KOR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 92 号： 4 ページ： 2213-2215 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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