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著者 (6件)：
資料名：
巻： 1993 ページ： 119-122 発行年： 1993年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902175671068854
整理番号：94A0313914
10nm燐ドープソースおよびドレイン接合をもつサブ50nmゲート長n-MOSFET
Sub-50 NM Gate Length N-MOSFETs with 10NM Phosphorus Source and Drain Junctions.
ONO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SAITO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YOSHITOMI T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
FIEGNA C
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OHGURO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1993 ページ： 119-122 発行年： 1993年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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