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著者 (3件)：
資料名：
巻： 40 号： 5A ページ： 3063-3068 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902175729324902
整理番号：01A0700121
無転位シリコン中の置換型ニッケル原子の内方拡散とアニール過程
In-Diffusion and Annealing Processes of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon.
TANAKA S
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
IKARI T
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
KITAGAWA H
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 5A ページ： 3063-3068 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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