文献
J-GLOBAL ID:200902175987297529
整理番号:00A0185639
GaAs基板上の自己組織化InxGa1-xAs量子ドットの表面形態に対するインジウム組成の影響
Influence of indium composition on the surface morphology of self-organized InxGa1-xAs quantum dots on GaAs substrates.
著者 (4件):
LI H
(Duke Univ., North Carolina)
,
ZHUANG Q
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Z
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
DANIELS-RACE T
(Duke Univ., North Carolina)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
87
号:
1
ページ:
188-191
発行年:
2000年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)