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著者 (4件)：
資料名：
巻： 208 号： 1/4 ページ： 33-36 発行年： 2000年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902177205652468
整理番号：00A0236917
GaP基板上でのGaAsのLPEヘテロ成長の直接観察
Direct observation of LPE heterogrowth of GaAs on a GaP substrate.
TANAKA A
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IZUMI N
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KIMURA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SUKEGAWA T
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 208 号： 1/4 ページ： 33-36 発行年： 2000年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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