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資料名：
巻： 8 号： 10 ページ： 1297-1298 発行年： 1996年10月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902177515489001
整理番号：96A0982556
ターンオン遅延時間を減少した埋め込みヘテロ構造を持つ1.3μm帯InGaAsP-InP n形変調ドープ-歪層多重量子井戸レーザ
Reduced Turn-on Delay Time in 1.3-μm InGaAsP-InP n-Type Modulation-Doped Strained Multiquantum-Well Lasers with a Buried Heterostructure.
NAKAHARA K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HAGA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANIWATARI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OISHI A
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 8 号： 10 ページ： 1297-1298 発行年： 1996年10月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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