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著者 (6件)：
資料名：
巻： 40 号： 5A ページ： 3069-3074 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902177529665082
整理番号：01A0700122
表面電場を利用してマイクロ波反射光伝導率減衰法による湿式化学処理した後のSiウエハ表面の評価
Characterization of Si wafer Surfaces after Wet Chemical Treatment by the Microwave Reflectance Photconductivity Decay Method with Surface Electric Field.
TADA A
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
HIRANO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
TAKAMATSU H
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
SUMIE S
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 5A ページ： 3069-3074 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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