文献
J-GLOBAL ID:200902177548169908
整理番号:97A0858496
高速デバイスへのSiCおよびGaN利用の可能性
The potential of SiC and GaN for application in high speed devices.
著者 (4件):
SCHWIERZ F
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
KITTLER M
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
FOERSTER H
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
,
SCHIPANSKI D
(Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
6
号:
10
ページ:
1512-1514
発行年:
1997年08月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)