文献
J-GLOBAL ID:200902177739097311
整理番号:98A0441380
高温で原子状水素処理により調製した原子レベルで平坦な(001)GaAs上の素子級立方晶GaNのMBE成長
MBE Growth of Device-Quality Cubic GaN on Atomically Flat (001) GaAs Prepared by Atomic-Hydrogen Treatment at High-Temperatures.
著者 (8件):
YOSHIKAWA A
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
QIN Z
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
NAGANO H
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
SUGURE Y
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
JIA A
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KOBAYASHI M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KATO Y
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
TAKAHASHI K
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
264/268
号:
Pt.2
ページ:
1221-1224
発行年:
1998年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)