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文献
J-GLOBAL ID:200902177740943013   整理番号:95A0555127

炭素化合物汚染による酸化膜耐圧劣化要因の検討

Dielectric degradation models of gate oxide film contaminated with carbon compounds.
著者 (3件):
滝山真功
(新日本製鉄)
石川明夫
(新日本製鉄)
河村光一郎
(新日本製鉄)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 42nd  号: Pt 2  ページ: 704  発行年: 1995年03月 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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