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資料名：
巻： 68 号： 18 ページ： 2526-2528 発行年： 1996年04月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902177820087509
整理番号：96A0487849
重水素処理による金属-酸化物-半導体トランジスタにおけるホットエレクトロン劣化の低減
Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing.
LYDING J W
(Univ. Illinois, Illinois)
,
HESS K
(Univ. Illinois, Illinois)
,
KIZILYALLI I C
(Lucent Technol. Bell Lab., Florida)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 18 ページ： 2526-2528 発行年： 1996年04月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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