文献
J-GLOBAL ID:200902177859803384
整理番号:01A0982284
エッチ速度及び診断データとの比較による二酸化けい素のC2F6及びCHF3エッチングのプラズマ化学のモデリング
Modeling the plasma chemistry of C2F6 and CHF3 etching of silicon dioxide, with comparisons to etch rate and diagnostic data.
著者 (4件):
HO P
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
JOHANNES J E
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
BUSS R J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
MEEKS E
(Reaction Design, California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
19
号:
5
ページ:
2344-2367
発行年:
2001年09月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)