文献
J-GLOBAL ID:200902177942538021
整理番号:95A0093808
非晶質SiNx:H薄膜ダイオードにおける電流誘起ドリフト機構
Current induced drift mechanism in amorphous SiNx:H thin film diodes.
著者 (4件):
SHANNON J M
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
,
DEANE S C
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
,
MCGARVEY B
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
,
SANDOE J N
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
65
号:
23
ページ:
2978-2980
発行年:
1994年12月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)