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著者 (3件)：
資料名：
巻： 39 号： 4B ページ： L337-L339 発行年： 2000年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902179154540220
整理番号：00A0447642
In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(x<0.2)にドープしたMgの活性化エネルギーと電子的活性度
Activation Energy and Electrical Activity of Mg in Mg-Doped In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N (x<0.2).
KUMAKURA K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
MAKIMOTO T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI N
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 4B ページ： L337-L339 発行年： 2000年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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