文献
J-GLOBAL ID:200902179480925485
整理番号:98A0564669
低速Heイオンビームで調べたSi(100)-2×1:H及びSi(100)-1×1:2H表面上の水素の表面反跳過程
Surface-recoil processes of hydrogen on Si(1 0 0)-2×1:H and Si(1 0 0)-1×1:2H surfaces studied by low-energy He ion beams.
著者 (4件):
SHOJI F
(Kyushu Kyoritsu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YAMADA A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIRAMIZU T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OURA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
135
号:
1/4
ページ:
366-371
発行年:
1998年02月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)