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文献
J-GLOBAL ID:200902179480925485   整理番号:98A0564669

低速Heイオンビームで調べたSi(100)-2×1:H及びSi(100)-1×1:2H表面上の水素の表面反跳過程

Surface-recoil processes of hydrogen on Si(1 0 0)-2×1:H and Si(1 0 0)-1×1:2H surfaces studied by low-energy He ion beams.
著者 (4件):
SHOJI F
(Kyushu Kyoritsu Univ., Fukuoka, JPN)
YAMADA A
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
SHIRAMIZU T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
OURA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)

資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

巻: 135  号: 1/4  ページ: 366-371  発行年: 1998年02月 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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