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著者 (6件)：
資料名：
巻： 77 号： 8 ページ： 1091-1092 発行年： 2000年08月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902179633889718
整理番号：00A1013384
固体源分子ビームエピタクシーで成長させた2.12μm InGaAs-InGaAlAs-InPダイオードレーザ
2.12μm InGaAs-InGaAlAs-InP diode lasers grown in solid-source molecular-beam epitaxy.
KUANG G K
(Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
,
BOEHM G
(Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
,
GRAU M
(Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
,
ROESEL G
(Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
,
MEYER R
(Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
,
AMANN M-C
(Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 8 ページ： 1091-1092 発行年： 2000年08月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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