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著者 (4件)：
資料名：
巻： 81 号： 3 ページ： 439-441 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902179721509755
整理番号：02A0628222
金属有機化学蒸着によるFeドープ半絶縁GaNの成長
Growth of Fe doped semi-insulating GaN by metalorganic chemical vapor deposition.
HEIKMAN S
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 3 ページ： 439-441 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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