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著者 (7件)：
資料名：
巻： B50 号： 1/3 ページ： 8-11 発行年： 1997年12月18日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902180023068044
整理番号：98A0274812
分子ビームエピタクシーによるGaNの2次元/3次元成長 GaN量子ドットに向けて
2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots.
DAUDIN B
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
WIDMANN F
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
FEUILLET G
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
ADELMANN C
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
SAMSON Y
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
ARLERY M
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
ROUVI<span style=text-decoration:overline>E`</span>RE J L
(CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B50 号： 1/3 ページ： 8-11 発行年： 1997年12月18日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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