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文献
J-GLOBAL ID:200902180382924010   整理番号:02A0462066

RF熱プラズマ蒸発によるAlドープZnO薄膜の成膜

Preparation of Al-doped ZnO thin films by RF thermal plasma evaporation.
著者 (5件):
TSUJINO J
(Hokkaido Electric Power Co., Inc., Ebetsu, JPN)
HOMMA N
(Hokkaido Electric Power Co., Inc., Ebetsu, JPN)
SUGAWARA T
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)
SHIMONO I
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)
ABE Y
(Hokkaido Industrial Res. Inst., Sapporo, JPN)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 407  号: 1/2  ページ: 86-91  発行年: 2002年03月22日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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