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著者 (3件)：
資料名：
巻： 48 号： 4 ページ： 696-700 発行年： 2001年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902180408115035
整理番号：01A0628646
Si1-xGexの酸化により作製した電荷捕獲メモリ
Charge-Trap Memory Device Fabricated by Oxidation of Si1-xGex.
KING Y-C
(National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
KING T-J
(Univ. California, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 4 ページ： 696-700 発行年： 2001年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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