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著者 (9件)：
資料名：
巻： 35 号： 10B ページ： L1315-L1317 発行年： 1996年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902180518503162
整理番号：96A0977686
従来C面サファイア基板上のへき開ファセットを持つ窒化膜ベースマルチ量子井戸レーザダイオードの室温パルス動作
Room Temperature Pulsed Operation of Nitride Based Multi-Quantum-Well Laser Diodes with Cleaved Facets on Conventional C-Face Sapphire Substrate.
ITAYA K
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
ONOMURA M
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
NISHIO J
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
SUGIURA L
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
SAITO S
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI M
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
YAMAMOTO M
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
FUJIMOTO H
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
,
ISHIKAWA M
(Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35 号： 10B ページ： L1315-L1317 発行年： 1996年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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