文献
J-GLOBAL ID:200902180883350502
整理番号:99A0297071
準単結晶シリコン薄膜素子用の新しいエキシマレーザアニーリングプロセス
Advanced excimer-laser annealing process for quasi single-crystal silicon thin-film devices.
著者 (2件):
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OH C-H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
337
号:
1/2
ページ:
123-128
発行年:
1999年01月11日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)